表題番号：2017B-224 日付：2018/03/26
研究課題２段階近接昇華法による高品質カルコパイライト薄膜の作製と多接合型太陽電池構造応用
研究者所属（当時） 資格 氏名
（代表者） 理工学術院 先進理工学部 教授 小林　正和
研究成果概要
2段階近接昇華法を用いることで高品質テルル系カルコパイライト薄膜の作製が可能になってきた。AgGaTe2の成果をもとに、CuGaTe2の2段階近接昇華法が応用可能かどうかについて検討を行った。そこで中間層材料としてCu2Teに着目した。シリコン基板上にCu2Te中間層を作製したところ、面内密度の改善が進み、比較的高密でのCu2Te粒状構造が確認された。さらにMo上にCu2Teを作製したところ、ほぼ膜状に分布した構造も作製できることが明らかになった。さらにその上にCuGaTe2を作製したところ、平坦性の高い薄膜状の結晶が得られるようになった。X線回折法を用いて結晶性を評価したところ、CuGaTe2が得られていることが明らかになった。