表題番号：2016K-186 日付：2017/03/28
研究課題シリコン結晶における表面成長反応のモデル化
研究者所属（当時） 資格 氏名
（代表者） 理工学術院 創造理工学部 教授 国吉　ニルソン
研究成果概要
シリコン結晶の成長反応機構を解明するために，気相中で生じる素反応および結晶表面で生じる反応を解析した．従来の研究に対象とされてこなかった，気相反応の圧力依存性を取り上げ，その速度定数を温度・圧力の関数として求めた．まず，SiCl2 + SiHCl3からの化学活性化反応を詳細に解析した．この反応が進行すると，Si2HCl5が中間体として生成し，圧力・温度の条件によっては複数の生成物に分解することがわかった．また，シリコン原子からなるクラスターを用いて結晶を近似して，以前から解析をしてきたHClやSiCl2の吸着反応の速度定数を求めた．