表題番号：2016K-164 日付：2017/02/22
研究課題シリコンフォトニクスのための単一Er注入Siデバイスの開発
研究者所属（当時） 資格 氏名
（代表者） 理工学術院 基幹理工学部 教授 谷井　孝至
研究成果概要
室温で光子を1個ずつ放出する新しいシリコンフォトニクス素子を開発し，その発光特性を活かして量子情報処理・通信に活用できるように，従来のシリコン電界効果トランジスタ(MOS FET)を高度化することが本研究の目的である．具体的には，たった1原子のエルビウムをチャネルに持つFETを作製し，電流注入によってこれらの単一原子からの発光を制御できるデバイスを開発する．チャネル中にエルビウムを注入したMOS FETの試作を行い、電気伝導特性を評価すると同時に、エルビウムと酸素の共注入と熱処理を施した際のEr:Oクラスター生成を３次元アトムプローブ測定によって同定した。