表題番号：2016B-187 日付：2017/03/06
研究課題AlONバッファー層を用いたInGaN系ヘテロ構造のMBE成長
研究者所属（当時） 資格 氏名
（代表者） 理工学術院 先進理工学部 教授 牧本　俊樹
研究成果概要

　AlONバッファー層を用いることにより、サファイア基板上に高品質のGaNを成長することができる。今回は、X線回折を用いて、室温においてc面サファイア基板上に堆積したAlONバッファー層の特性を評価したところ、AlONバッファー層特有のc軸配向性を持つピークを観測することができた。そして、このピークは高温アニールによって回折強度が減少するとともに、ピーク位置が高角側へと移動した。このことは、AlONバッファー層は、薄膜構造から小さな結晶核に変化したことを示唆している。ただし、これらの結晶核はc軸配向特性を維持していることから、高品質GaN成長用のバッファー層としての役割を果たしていることを明らかにした。