浅いNVセンターの領域に表面チャネル型の電界効果トランジスタ（FET）を形成し、オフ状態の高電界下で空乏層を伸長させることで、電気的にNV^-の安定領域を制御する。表面からキャリア（正孔）を追い出し、空乏化するとポテンシャルは下向きに湾曲し、さらに高い電界ではフェルミ準位が真性フェルミ準位（ギャップ中央）よりも高くなる状すなわち反転状態がゲート電極近傍に出現する。これを実現するには高電圧（500V以上）高電界(1MV/cm)下で動作するプレーナー型FETが必要で、それを表面スピンの極めて少ない水素終端ダイヤモンド表面を利用して作製することが可能となった（Sci. Rep. 2017）。