本研究課題は、超高消光比光干渉計をアクティブトリミング技術により実現し、集積デバイスとしての世界最高水準の精度の達成を目標としている。アクティブトリミングは導波路型MZ干渉計(マッハツェンダー型干渉計)の各アームに強度誤差を補正するための強度トリマーを持つ集積デバイスで実現される。強度トリマー自体もMZ干渉計で構成することが可能で、この場合既存の光変調デバイス作製プロセスが利用でき、実用性が高いが、トリミング用のバイアス電圧とメインのMZ干渉計のバイアス電圧を高精度に制御することが重要である。今年度はバイアス電圧制御アルゴリズム検討に注力し、動作の安定性と精度の高さの両立に適した制御方法を見出した。