表題番号:2015K-228
日付:2016/03/23
研究課題SOI CMOS技術を用いた広帯域・低損失スイッチICの研究
研究者所属(当時) | 資格 | 氏名 | |
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(代表者) | 理工学術院 大学院情報生産システム研究科 | 教授 | 吉増 敏彦 |
- 研究成果概要
- 45-nm SOI CMOS(Silicon On Insulator CMOS)技術を用いて、送受信切り替え用SPDTスイッチ回路方式の研究を実施した。その結果、回路シミュレーションにより、動作周波数=30 GHzにおいて、送信ポートの挿入損失=0.32 dB、線形出力電力=25 dBm (300 mW)、受信ポートの挿入損失=1.4 dB、送受信アイソレーション=28.7 dBの特性を得た。SOI構造はバルク構造CMOSに比べて、FETの寄生容量が小さいため、MOSFETのゲート幅を広くし、オン抵抗を低減することが挿入損失とアイソレーションのトレードオフに有効であることを確認した。