電気光学効果を利用した高感度テラヘルツ波検知器の実現に向け、

透明基板であるサファイア上に面方位が制御された状態の高品質ZnTe薄膜

を作製することを目指している。

サファイアS面やR面を基板にもちい、成長薄膜との界面の方位関係を調べた。

S面上に作製されたZnTeをX線回折法、特に極点図法を用いて

解析した。S面基板上に作製する場合にはサファイアC面が大きな影響を与えているが、

R面上には異なった形で結晶成長が行われた。ただし、結晶性に関してはS面上に作製

されたZnTeより高品質であることが明らかになった。界面を詳細に

検討し、C面の情報を引継ぐと同時に表面の原子配置も

大きな影響を及ぼしていることが明らかになった。