圧電薄膜の固有振動数変動を用いた高感度質量計測センサについて研究を行った。センサの面積を大きくすれば、それに比例して雑音（共振ピークの雑音）を小さくしていくことができ、測定感度を高くすることができると考えられる。しかし、５０Ω計測系と整合させるにはセンサのキャパシタンスが定まり、おのずと電極面積が決定される。（膜厚は共振周波数で決定）。本研究では、イオンビームスパッタ法を用いて、酸素イオンビームの照射法を反転させることにより、極性が互いに反転したＺｎＯ圧電薄膜を積層成長する技術を開発した。作製した薄膜は高い横波圧電効果を有していることも確認した。これにより、共振周波数を維持したまま膜厚を反転層数倍させ、５０Ω整合したままセンサ面積を反転層数倍させたセンサの作製に成功した。