半導体の導電接続は、金、銅、半田などが多用されてきたが、銀はマイグレーションなどが懸念され、チップ電極の裏面、リードフレームのリードメッキなどの使用に限定されてきた。　近年、ＳｉＣなどの新規パワー半導体の開発が進展し、これらの特徴を最大限に引き出すために、高温で、高電流密度の使用が期待されてきた。しかし従来の、アルミニウムワイヤ、半田などの材料による接続は、高温での使用では、組織変化や溶融による不良が懸念され、高融点材料による接続が検討されてきた。ここでは、Ａｌワイヤに代わる銅、銀ワイヤの検討をおこない、特に比較的加工硬化の少ない銀ワイヤが、接合性、接続時にチップへのダメージなどの点から優れていることが明らかにした。またＡＬ電極との接合信頼性については、高温で金属間化合物が形成されているが、比較的Ａｌ厚みの厚い場合（４μｍ）には一定の、長期信頼性が確保できること、さらには、Ｎｉ／Ａｕ電極では、十分な高温信頼性が確保できることをあきらかにしてきた。