集束イオンビーム装置を用いて単結晶ダイヤモンド薄膜にSi原子を打ち込み、Siと空孔からなる色中心であるSiV-センタを作製し、ドースと生成収率との関係を明らかにした。その結果、照準した位置に共焦点顕微鏡分解能以下の位置精度でSiV-センタの発光スポットを形成できること、１スポットあたり20個のSi原子を打ち込むと、生成収率15%でSiV-センタが生成されること、形成したスポットの中に単一のSiV-センタも存在すること、単一SiV-センタが単一光子源として機能すること、および、長時間の熱処理を施すとイオン注入で形成されたSiV-センタの輝度も十分に高いことを見出した。