表題番号：2014B-305
日付：2015/03/20
研究課題AlONバッファー層を用いた高品質窒化物半導体ヘテロ構造のMBE成長
| 研究者所属（当時） | 資格 | 氏名 | |
|---|---|---|---|
| （代表者） | 理工学術院 先進理工学部 | 教授 | 牧本 俊樹 |
| （連携研究者） | NTT物性科学基礎研究所 | 主幹研究員 | 熊倉一英 |
| （連携研究者） | NTT物性科学基礎研究所 | グループリーダ | 山本秀樹 |
- 研究成果概要
- 窒化物半導体をサファイア基板上に成長する場合には、一般に、低温で成長した窒化物半導体をバッファー層として用いる二段階成長法が使われている。本研究では、この従来の二段階成長法で用いる低温で成長した窒化物半導体のバッファー層の代わりに、新しいAlONバッファー層を用いて、サファイア基板上にAlN層をRFプラズマMBE法によって成長した。そして、AlN層の膜厚を0.5μmから2μmまで変化させ、X線回折法によって薄膜の転位密度を評価した。その結果、MBE法で成長した高品質のAlN層の報告値に比べて、AlONバッファー層を用いて成長したAlN層の品質は同程度か、それ以上であることを明らかにした。