表題番号:1996B-027 日付:2002/02/25
研究課題機能性酸化物材料開発の基礎
研究者所属(当時) 資格 氏名
(代表者) 理工学部 教授 尾崎 肇
(連携研究者) 理工学部 教授 一ノ瀬 昇
(連携研究者) 理工学部 教授 近 桂一郎
研究成果概要
1.強誘電体および関連物質の薄膜の研究
 強誘電体不揮発性メモリへの応用をねらいにして(Pb, La)TiO3系酸化物薄膜のRFマグネトロンスパッタ法による作成とその配向性と電気的特性の研究を行い、これらの膜がDRAM用キャパシタ材料として有望であることを示した。さらに、それぞれ優れた性質の期待されるBi4Ti3O12およびSrBi2Ta2O9について単相あるいはそれに近い膜の作成に成功した。
2.酸化物高温超伝導体の変調構造の研究
 Bi系酸化物超伝導体Bi2+xSr1.8CaCu2Oz, Bi2Sr1.8-yCa1+yCu2OzでBi,およびCuの価数と変調周期との関係を調べた。その結果、従来いわれてきた過剰酸素がBi-O層に入ることの他に、Bi-、Sr-、あるいはCa-サイトの各Bi占有率が変調構造に影響していることを明らかにした。
3.遷移金属酸化物における磁気長距離秩序と強誘電性の共存の研究
 希土類とマンガンの複酸化物RMn2O5について、強誘電性を確証し、さらに、結晶構造、およびらせん磁気秩序の発生と自発分極の起源との関連を論じた。複合原子価系LuFe2O4で、電荷秩序構造に基づく低周波誘電分散の存在を示した。
 以上の諸成果の一部分は論文24篇としてすでに公表済である。さらに、数篇が印刷中、あるいは投稿中である。それらの内代表的なものを下記ページに示す。
研究成果の発表
一ノ瀬 昇他
Electrical Properties of (Bi, La)4 Ti3O12 based Thin Films Prepared by RF Sputtering; Jpn. J. Appl. Phys., 35(1996) 4960-4962. 1996年
Preparation and Characteristics of SrBi2Ta2O9 Thin Films by Multiple-Cathode Sputtering;Jpn. J. Appl. Phys., 36 (1997) 5825-5828. 1997年
Fatigue Characteristics of SrBi2Ta2O9 thin Films by RF Magnetron Sputtering Method; Jpn. J. Appl. Phys., 36 (1997) 5893-5895. 1997年
尾崎 肇他
TCOnset, Fluctuation and Intergrain Connection in the Bi2-xGexSr2CaCu2O8+δ;Czech. J. Phys., 46 (1996) Suppl. S3, 1281. 1996年
On the Correlations between Sr:Ca Substitution and Structural Modulation in the Bi-2212 Phase; Czech. J. Phys., 46 (1996) Suppl. S3, 1423. 1996年
Relationships between Mutual Substitution State and Structural Modulation on the Bi2212 Cuprate; Physica C(印刷中)
近 桂一郎他
Pyroelectric Effect of Antiferromagnetic Rare Earth Manganite RMn2O5; J. Phys.: Condensed Matter, 8 (1996) 2673-2678. 1996年
Dipole Glass Behavior of Rfe2O4; Ferroelectrics, 190 (1997) 191-196. 1997年
Dielectric Dispersion and Charge Ordering of LuFe2O4; Korean J. Phys. Soc., 32 (1998) S44-46. 1998年