表題番号：1995C-008
日付：2002/02/25
研究課題単粒子制御と応用国際シンポジウム
| 研究者所属（当時） | 資格 | 氏名 | |
|---|---|---|---|
| （代表者） | 理工学部 | 教授 | 大泊 巌 |
| （連携研究者） | Texas Instruments | Director | Y.Nishi |
| （連携研究者） | Univ.North Carolina | Professor | J.Boland |
| （連携研究者） | IAP | Professor | V.G.Lifshits |
| （連携研究者） | 理工学部 | 教授 | 鈴木 克生 |
| （連携研究者） | Washington Univ. | Professor | K.G.Lynn |
| （連携研究者） | 筑波大学 | 教授 | 谷川 庄一郎 |
| （連携研究者） | 筑波大学 | 助教授 | 上殿 明良 |
| （連携研究者） | AT&T Bell Lab. | Researcher | R.S.Becker |
| （連携研究者） | 理化学研究所 | 室長 | 青野正和 |
| （連携研究者） | Cambridge Univ. | Professor | John R.A.Cleaver |
| （連携研究者） | FOM | Director | F.Saris |
| （連携研究者） | 日本原研高崎研 | 室長 | 大道英樹 |
- 研究成果概要
- 本シンポジウムは、文部省科学研究費補助分担金特別推進研究「シングルイオン注入法の実現と固体物性制御への応用」（研究代表者大泊巌早稲田大学教授、研究分担者谷川庄一郎筑波大学教授、1993～1996年度）の成果発表の場として1996年11月11日（月）～11月13日（水）の３日間にわたり、早稲田大学国際会議場において開催した。シンポジウムの統一テーマ「単粒子制御」は、シングルイオン注入を基盤にしたものであるが、上記特別推進研究の重要な柱の一つであるシリコン表面の研究から、シングルイオン注入による表面修飾を用いるウェハスケールナノ構造形成の芽が生まれたことを考慮して、１個の電子も視野の中に含めた。国内外の関連分野の著名な研究者と事前に緊密な連絡をとり、下記の招待講演者を決定した。
Y.Nishi (Texas Instruments， USA)
T. Engel (Univ. Washington，USA)
J. Boland (Univ. North Carolina， USA)
V.G. Lifshits (IAPU， Russia)
H. Hasegawa (Hokkaido Univ.， Japan)
John R.A.Cleaver (Cambridge Univ.， UK)
T. Ogino (NTT， Japan)
K. G. Lynn (Washington State Univ.， USA)
R. Suzuki (Electrotechnical Lab.， Japan)
T. Kurihara (KEK， Japan)
I. Yamada (Kyoto Univ.， Japan)
H. Ohmichi (JAERI， Japan)
A. Toriumi (Toshiba， Japan)
S. Namba (Nagasaki Inst. Appl. Sci.， Japan)
プログラムは、これらの人々による招待講演ならびに上記特別推進研究の研究組織メンバーによる講演ならびにポスター掲示の形式をとった。延べ225名の参加者を得て、連日活溌な討議を行った。