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2039
ナノ・材料
掲載日:2018/04/18
第7017016号

ノーマリオフ動作ダイヤモンド電力素子及びこれを用いたインバータ

川原田 洋 教授 (理工学術院 基幹理工学部)
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1782
ナノ・材料
掲載日:2016/04/08
第6712735

電力素子

川原田 洋 教授 (理工学術院 基幹理工学部)
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2016-0203-07
ナノ・材料
掲載日:2016/02/03

ダイヤモンド基板上の垂直配向グラファイト層

川原田 洋 教授 (理工学術院 基幹理工学部)
共同研究者:稲葉 優文 非常勤講師
◆ダイヤモンド(100)表面に高温イオン注入する◆注入後の熱処理(1700℃、2時間)により、格子間の炭素原子が表面に拡散◆垂直配向グラファイト層が形成
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2016-0203-06
ナノ・材料
掲載日:2016/02/03

多結晶ダイヤモンド上のパワーMOSFET(ダイヤモンド電界効果トランジスタ及びその製造方法)

川原田 洋 教授 (理工学術院 基幹理工学部)
共同研究者:モフド シャムスル ナシリク ビン サムソル バハリン   、稲葉 優文 非常勤講師 、北林 祐哉 、柴田 将暢
◆多結晶ダイヤモンド(黒い)上にMOSFETを作製 ◆顕著な変調・良好なデバイス特性◆逆阻止耐圧1800Vを達成
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1736
ものづくり技術
掲載日:2015/11/03
2017-45897

多結晶ダイヤモンド上のパワーMOSFET(ダイヤモンド電界効果トランジスタ及びその製造方法)

川原田 洋 教授 (理工学術院 基幹理工学部)
◆多結晶ダイヤモンド(黒い)上にMOSFETを作製 ◆顕著な変調・良好なデバイス特性◆逆阻止耐圧1800Vを達成
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