2016-0203-07
ナノ・材料
掲載日:2016/02/03
ダイヤモンド基板上の垂直配向グラファイト層
川原田 洋 教授 (理工学術院 基幹理工学部)
共同研究者:稲葉 優文 非常勤講師
◆ダイヤモンド(100)表面に高温イオン注入する◆注入後の熱処理(1700℃、2時間)により、格子間の炭素原子が表面に拡散◆垂直配向グラファイト層が形成
2016-0203-06
ナノ・材料
掲載日:2016/02/03
多結晶ダイヤモンド上のパワーMOSFET(ダイヤモンド電界効果トランジスタ及びその製造方法)
川原田 洋 教授 (理工学術院 基幹理工学部)
共同研究者:モフド シャムスル ナシリク ビン サムソル バハリン 、稲葉 優文 非常勤講師 、北林 祐哉 、柴田 将暢
◆多結晶ダイヤモンド(黒い)上にMOSFETを作製 ◆顕著な変調・良好なデバイス特性◆逆阻止耐圧1800Vを達成
多結晶ダイヤモンド上のパワーMOSFET(ダイヤモンド電界効果トランジスタ及びその製造方法)
川原田 洋 教授 (理工学術院 基幹理工学部)
◆多結晶ダイヤモンド(黒い)上にMOSFETを作製 ◆顕著な変調・良好なデバイス特性◆逆阻止耐圧1800Vを達成