半導体素子における新接合構造の開発

2019-0312-01
研究者名
研究者情報 巽 宏平 教授
所属
理工学術院 大学院情報生産システム研究科
専門分野
構造・機能材料
キーワード

背景

◆ SiCパワーデバイス実装に対する高耐熱実装技術としてAgナノ粒子やCuナノ粒子による低温焼結接合が注目され、研究が進められている。
◆ Agナノ粒子やCuナノ粒子は腐食や酸化、コスト面に課題
◆ 焼結接合後のマイクロサイズ以上のボイドの発生
◆ 素子と基板との熱膨張係数(CTE)差での熱応力による接合信頼性の低下

シーズ概要

◆ Alマイクロ粒子混合によるボイドの減少効果の検証
◆ Niナノ粒子/Alマイクロ粒子混合ペーストにより形成した接合構造の応力緩和効果の検証
◆ SiC-SBDを用いた高耐熱性評価

優位性

◆ 大気中におけるAlとの直接接合が可能
◆ 250℃以上における耐熱性を有する接合材料
◆ Alマイクロ粒子混合によるボイドの減少効果と応力緩和効果

応用・展開

◆ HEV/EV
◆ 工業用モータのインバータ
◆ 新エネルギー分野

資料

  • 20190312-01-2.pdf

共同研究者

田中 康紀 助手 (当時)

他のシーズ

  • 電極接続方法及び電極接続構造
  • 半導体素子接合構造及び接合構造の生成方法、接合剤
掲載日: 2019/03/12