ダイヤモンド半導体を用いた高信頼性電力素子

2014-0122-05
研究者名
研究者情報 川原田 洋 教授
所属
理工学術院 基幹理工学部
専門分野
電子・電気材料工学
キーワード

シーズ概要

・550℃の大気中でも導電性が確保され、絶縁性が向上した保護膜の製造方法
・表面を水素化したダイヤモンド基板上に2層の保護膜を形成することで実現

背景

・優れた物性をもつダイヤモンド半導体のパワーデバイスのニーズは極めて高い
・しかし、ダイヤモンド半導体の表面は外部環境の影響を受けやすく、動作が不安定

優位性

・ダイヤモンド電界効果トランジスタ(FET)に必要なゲート絶縁性・耐環境性を原子層堆積(ALD)Al2O3技術にて達成
・高電圧、高周波電力素子実用化へ

応用・展開

・自動車などの高温度雰囲気下での半導体素子
・家電、自動車、工場などの電源用途の半導体素子

提供目的

受託研究、共同研究、技術相談

資料

  • 保護膜の電流電圧特性
  • 保護膜の成膜(450℃)と除去によるシート抵抗変化

他のシーズ

  • ナノダイヤモンドp型透明電極
  • ダイヤモンド基板上の垂直配向グラファイト層
  • 多結晶ダイヤモンド上のパワーMOSFET(ダイヤモンド電界効果トランジスタ及びその製造方法)
  • 電気による新たな海中無線通信の開発
  • 海水のイオン導電性を利用した海中無線通信 ~海水管,漁業用いけす内のワイヤレスリアルタイムモニタリングが可能に~
  • 多結晶ダイヤモンド上のパワーMOSFET(ダイヤモンド電界効果トランジスタ及びその製造方法)
  • 電力素子
  • トランジスタの製造方法及びセンサ素子
  • ノーマリオフ動作ダイヤモンド電力素子及びこれを用いたインバータ
  • ダイヤモンド電界効果トランジスタ及びその製造方法
掲載日: 2014/01/23