無電解銅めっき浴、無電解銅めっき方法及びULSI銅配線形成方法

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研究者名
所属
専門分野
デバイス関連化学,ナノバイオサイエンス,電子・電気材料工学
特許名称
無電解銅めっき浴、無電解銅めっき方法及びULSI銅配線形成方法
特許番号
第4931196号
出願人
学校法人早稲田大学
出願国・地域
日本

シーズ概要

ボイド等の欠陥の形成を下及的に防止しつつ、トレンチの効率的な埋め込みが可能。更に、微細なトレンチへの均一な付着が難しい乾式法によるシード層形成によらず、全工程を湿式工程で構成して、より均一かつ確実にトレンチの埋め込みめっきを施す発明である。

共同発明者

長谷川 円

掲載日: 2013/12/25