電子線利用微細光学パターン作製法

1976
研究者名
所属
専門分野
薄膜・表面界面物性,ナノ構造科学,物理化学
キーワード
特許名称
発光体の製造方法、発光体、真偽判別体、メモリ媒体、及びマスクパターン形成方法
出願人
学校法人早稲田大学
出願国・地域
日本

シーズ概要

・電子線照射によりナノスケール光学パターンを作製
・高分子膜を原料とし特異な光学特性を発現
・電子線照射量の調整により発光特性の制御を実現

効果

・ナノメータスケールの発光パターンを実現可能
・電子線照射のみで多機能発光パターンを作製可能
・汎用材料を使用し安価かつ大量生産が可能

提供目的

受託研究、共同研究、技術相談、知財ライセンス

資料

  • 作製例
  • 応用例

共同発明者

香村 惟夫 助手

掲載日: 2018/06/12