立体型櫛型電極およびその製造方法

1961
研究者名
所属
専門分野
反応工学・プロセスシステム
キーワード
特許名称
立体型櫛型電極およびその製造方法
公開番号
特開2019-45244
出願人
早稲田大学
出願国・地域
日本

シーズ概要

◆ 導電性基板上にダイレクトにCNTフォレストを高密度に成長させ高感度&耐久性の高い櫛型電極の提供。

優位性

◆ 500℃以下のCVD法により金属電極上にCNTを直接成長させることにより電気抵抗が低く、高感度な立体型櫛型電極を実現。

資料

  • 櫛型金属電極およびCNTフォレストの側方断面のSEM写真
  • 金属電極IDEとCNT電極IDEとの比較CNT電極IDEははるかに高感度である。
  • アスコルビン酸を含むドーパミンの選択的検出の際のジェネレータ電極での酸化電流値、およびコレクタ電極での還元電流値を示す、低濃度でも好感度に測定可能。
  • 高濃度ドーパミン(100µM)中でジェネレータ電極の電位の掃引を30回繰り返したときのCV特性、劣化による酸化還元電位の変化がほとんど見られない。

共同発明者

野田 優 教授 (理工学術院 先進理工学部) , 大野 雄高 (名古屋大学) , 牛山 拓也 (名古屋大学)

掲載日: 2018/05/17