多結晶ダイヤモンド上のパワーMOSFET（ダイヤモンド電界効果トランジスタ及びその製造方法）

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研究者名
所属
専門分野
電子・電気材料工学
キーワード
特許名称
ダイヤモンド電界効果トランジスタ及びその製造方法
公開番号
2017-45897
出願人
学校法人早稲田大学
出願国・地域
日本

シーズ概要

◆多結晶ダイヤモンド（黒い）上にMOSFETを作製
◆顕著な変調・良好なデバイス特性
◆逆阻止耐圧1800Vを達成

優位性

◆高耐圧化が容易
◆低コスト
◆既存の生産ラインを使用可

応用・展開

◆耐高温・高耐圧用途のパワーデバイス
◆極限環境に対応

提供目的

受託研究、共同研究、技術相談、知財ライセンス

資料

  • Fig. 1. Diagram of black polycrystalline diamond field effect transistor
  • Fig. 2. FESEM images revealing the polycrystalline nature of the black polycrystalline diamond
  • Fig.3. - Fig. 5

共同発明者

モフド シャムスル ナシリク ビン サムソル バハリン 　 , 稲葉 優文 非常勤講師 (当時) , 平岩 篤 客員上級研究員 (当時) , 山田 哲也 , 許 德琛 , 北林 祐哉 , 柴田 将暢

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掲載日: 2015/11/03