半導体素子接合構造及び接合構造の生成方法、接合剤

2085
研究者名
所属
専門分野
構造・機能材料
キーワード
特許名称
半導体素子接合構造、半導体素子接合構造の生成方法及び導電性接合剤
特許番号
特許第7198479号
出願人
学校法人早稲田大学

シーズ概要

高温環境で用いられるパワーデバイスにおいて、Ｎｉナノ粒子と、Ｎｉより硬度の小さい金属（例えばＡｌ）のマイクロ粒子を混合したペースト等を接合剤として用いてデバイスの接合構造を形成する。デバイスと被接合体とを強固に接合できると共に、熱応力を緩和することで高温環境に対応でき、信頼性の高い接合構造を得ることができる。

資料

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共同発明者

田中 康紀 助手 (当時)

関連論文

  • Yasunori Tanaka, Tatsumasa Wakata, Norihiro Murakawa, Tomonori Iizuka, and Kohei Tatsumi,

他のシーズ

掲載日: 2020/04/14