ダイヤモンド半導体を用いた高信頼性電力素子

2014-0122-05
researcher's name
about researcher 川原田 洋 教授
affiliation
理工学術院 基幹理工学部
research field
電子・電気材料工学
keyword

summary

・550℃の大気中でも導電性が確保され、絶縁性が向上した保護膜の製造方法
・表面を水素化したダイヤモンド基板上に2層の保護膜を形成することで実現

background

・優れた物性をもつダイヤモンド半導体のパワーデバイスのニーズは極めて高い
・しかし、ダイヤモンド半導体の表面は外部環境の影響を受けやすく、動作が不安定

predominance

・ダイヤモンド電界効果トランジスタ(FET)に必要なゲート絶縁性・耐環境性を原子層堆積(ALD)Al2O3技術にて達成
・高電圧、高周波電力素子実用化へ

application/development

・自動車などの高温度雰囲気下での半導体素子
・家電、自動車、工場などの電源用途の半導体素子

purpose of providing seeds

Sponsord research, Collaboration research, Technical consultation

material

  • 保護膜の電流電圧特性
  • 保護膜の成膜(450℃)と除去によるシート抵抗変化

same researcher's seeds

  • 多結晶ダイヤモンド上のパワーMOSFET(ダイヤモンド電界効果トランジスタ及びその製造方法)
  • ダイヤモンド基板上の垂直配向グラファイト層
  • ナノダイヤモンドp型透明電極
  • 電気による新たな海中無線通信の開発
  • 多結晶ダイヤモンド上のパワーMOSFET(ダイヤモンド電界効果トランジスタ及びその製造方法)
  • 電力素子
  • ナノカーボン基材の製造方法およびナノカーボン基材
  • トランジスタの製造方法及びセンサ素子
  • ノーマリオフ動作ダイヤモンド電力素子及びこれを用いたインバータ
  • ダイヤモンド電界効果トランジスタ及びその製造方法
posted: 2014/01/23