立体型櫛型電極およびその製造方法

1961
researcher's name
affiliation
research field
反応工学・プロセスシステム
keyword
patent name
立体型櫛型電極およびその製造方法
publication number
特開2019-45244
applicants
早稲田大学
region
日本

summary

◆ 導電性基板上にダイレクトにCNTフォレストを高密度に成長させ高感度&耐久性の高い櫛型電極の提供。

predominance

◆ 500℃以下のCVD法により金属電極上にCNTを直接成長させることにより電気抵抗が低く、高感度な立体型櫛型電極を実現。

material

  • 櫛型金属電極およびCNTフォレストの側方断面のSEM写真
  • 金属電極IDEとCNT電極IDEとの比較CNT電極IDEははるかに高感度である。
  • アスコルビン酸を含むドーパミンの選択的検出の際のジェネレータ電極での酸化電流値、およびコレクタ電極での還元電流値を示す、低濃度でも好感度に測定可能。
  • 高濃度ドーパミン(100µM)中でジェネレータ電極の電位の掃引を30回繰り返したときのCV特性、劣化による酸化還元電位の変化がほとんど見られない。

collaborative inventors

野田 優 教授 (理工学術院 先進理工学部) , 大野 雄高 (名古屋大学) , 牛山 拓也 (名古屋大学)

posted: 2018/05/17