多結晶ダイヤモンド上のパワーMOSFET(ダイヤモンド電界効果トランジスタ及びその製造方法)

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researcher's name
affiliation
research field
電子・電気材料工学
keyword
patent name
ダイヤモンド電界効果トランジスタ及びその製造方法
publication number
2017-45897
applicants
学校法人早稲田大学
region
日本

summary

◆多結晶ダイヤモンド(黒い)上にMOSFETを作製
◆顕著な変調・良好なデバイス特性
◆逆阻止耐圧1800Vを達成

predominance

◆高耐圧化が容易
◆低コスト
◆既存の生産ラインを使用可

application/development

◆耐高温・高耐圧用途のパワーデバイス
◆極限環境に対応

purpose of providing seeds

Sponsord research, Collaboration research, Technical consultation, IP licensing

material

  • Fig. 1. Diagram of black polycrystalline diamond field effect transistor
  • Fig. 2. FESEM images revealing the polycrystalline nature of the black polycrystalline diamond
  • Fig.3. - Fig. 5

collaborative inventors

モフド シャムスル ナシリク ビン サムソル バハリン   , 稲葉 優文 助手 (retired) , 平岩 篤 客員上級研究員 , 山田 哲也 , 許 德琛 , 北林 祐哉 , 柴田 将暢

posted: 2015/11/03