多結晶ダイヤモンド上のパワーMOSFET(ダイヤモンド電界効果トランジスタ及びその製造方法)
- researcher's name
- affiliation
- research field
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電子・電気材料工学
- keyword
- patent name
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ダイヤモンド電界効果トランジスタ及びその製造方法
- publication number
- applicants
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学校法人早稲田大学
- region
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日本
summary
◆多結晶ダイヤモンド(黒い)上にMOSFETを作製
◆顕著な変調・良好なデバイス特性
◆逆阻止耐圧1800Vを達成
◆顕著な変調・良好なデバイス特性
◆逆阻止耐圧1800Vを達成
predominance
◆高耐圧化が容易
◆低コスト
◆既存の生産ラインを使用可
◆低コスト
◆既存の生産ラインを使用可
application/development
◆耐高温・高耐圧用途のパワーデバイス
◆極限環境に対応
◆極限環境に対応
purpose of providing seeds
Sponsord research, Collaboration research, Technical consultation, IP licensing
material
collaborative inventors
モフド シャムスル ナシリク ビン サムソル バハリン , 稲葉 優文 非常勤講師 (retired) , 平岩 篤 客員上級研究員 (retired) , 山田 哲也 , 許 德琛 , 北林 祐哉 , 柴田 将暢
same researcher's seeds
posted:
2015/11/03